王艳慧
,
李澄
,
王加余
,
尹成勇
,
郑顺丽
,
李敏
,
胡玮
,
杜梦萍
,
王绮
材料开发与应用
利用水热技术制备了锐钛型的TiO2纳米线(TNWs),研究了不同的水热反应时间,水热反应温度以及所用碱的浓度对所制备的纳米线的形貌的影响.采用XRD技术和SEM技术对纳米线的成分及其形貌进行了表征.将TNWs与TiO2(P25)混合分散于水和乙醇的混合溶剂中,制得均匀稳定的浆体,涂敷于不锈钢基体表面,进行光电化学性能的测试,结果表明,当TNWs的掺杂量为5％(w)时,薄膜的光电性能最优.
关键词:
水热技术
,
锐钛矿型
,
二氧化钛
,
光电性能
何鑫
,
陈宁
,
方健成
,
张梅
,
黄俊能
,
罗坚义
人工晶体学报
本文以自制的银纳米线分散液为镀膜前驱体,利用不锈钢棒在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基底表面制备银纳米线薄膜电极,讨论HNO3溶液的浓度和处理时间对薄膜光电性能与表面形貌的影响.结果表明,当利用浓度为1:50(浓HNO3与蒸馏水体积比)的稀HNO3溶液处理薄膜30 min时,银纳米线薄膜的方块电阻可降低95％～97％,而薄膜的可见光透过率则提高3％～4％.
关键词:
银纳米线
,
薄膜电极
,
光电性能
,
HNO3溶液处理
童杨
,
王昆仑
,
刘媛媛
,
李延辉
,
宋淑梅
,
杨田林
人工晶体学报
在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律.结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84％,载流子霍尔迁移率高达24 em2·V-1·s-1.随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 eV逐渐增加到3.76 eV.研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率.随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律.当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020 cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1· s-1.
关键词:
铟锡锌氧化物薄膜
,
光学带隙
,
光电特性
,
射频功率
方华靖
,
严清峰
,
王晓青
,
沈德忠
人工晶体学报
通过水热生长的预处理步骤在普通玻璃载玻片表面铺设种子层,然后采用旋涂法在处理好的衬底上涂覆前驱体溶胶,成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的Al掺杂的ZnO薄膜(AZO)薄膜.利用X射线衍射分析、扫描电镜表征薄膜形貌,并测定薄膜的透射率及电阻率.研究了种子层对AZO薄膜结晶性能、表面形貌及光电性能的影响.结果表明:种子层减少了薄膜生长初期的非晶成份,促进了薄膜的晶化.薄膜在可见光范围内平均透射率超过85％,导电性能也有所改善.
关键词:
AZO薄膜
,
种子层
,
溶胶凝胶
,
光电性能
向卫东
,
赵斌宇
,
梁晓娟
,
陈兆平
,
谢翠萍
,
骆乐
,
张志敏
,
张景峰
,
钟家松
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13481
采用提拉法生长了白光LED用Ce：YAG单晶，通过吸收光谱、激发发射光谱和变温光谱对其光学性能和热稳定性进行了表征，并研究了晶片用于封装白光LED光源中各因素对其光电性能的影响。Ce：YAG晶片能被466 nm波长的蓝光有效激发，产生500~700 nm范围内的宽发射带。Ce3+的4f→5d轨道的跃迁吸收对应于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五个吸收峰，据此量化分裂的5d能级能量，依次为21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。温度升高， Ce3+的2F7/2能量升高导致了发光强度的降低，可降低幅度(13.28%)不大，比肩国家标准且要优于目前商用白光光源的Ce：YAG单晶制白光LED光源的封装工艺，从芯片、驱动电流、晶片厚度和添加物四方面进行讨论。研究结果表明， Ce：YAG单晶是一种新型白光LED用荧光材料。
关键词:
白光LED
,
铈掺杂钇铝石榴石
,
光学性能
,
封装工艺
,
光电性能
罗军
,
沈晓楠
,
庞盼
,
廖斌
,
吴先映
,
张旭
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.06.001
利用MEWA技术分别将金属Fe、Ni、Ag离子注入进DSSCs结构中作为电荷传输层的TiO2膜,表征了各金属离子注入后TiO2膜表面形貌及晶相结构,研究了DSSCs注入前后光电性能及电池内部界面的电荷传输变化.能带理论分析显示,金属离子注入后,TiO2能带结构发生变化,并在其禁带中引入了杂质能级,不仅优化了TiO2导带与染料LUMO能级匹配度,而且杂质能级为电荷的传输提供了额外传输“通道”,从而降低了电荷传输过程中的复合率.DSSCs光电性能测试结果显示,与未注入的DSSCs相比,Fe、Ni、Ag离子注入DSSCs的光电转化率分别提高了13.6％、12.7％、34.2％.
关键词:
离子注入
,
染料敏化太阳能电池
,
电荷传输
,
光电性能
,
阻抗
张睿
,
顾晓龙
,
庞欢
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.08.003
以配体Ia、Ib和Ni(dbbpy)Cl2(dbbpy=4,4′-二-叔丁基-2,2′-联吡啶)反应,合成了两种新型冠醚环化二硫纶配体的Ni(Ⅱ)配合物1和2.经1H NMR、IR、MS和元素分析表征了二者的结构,并解析了其晶体结构,初步测定了其光电响应性质.结果表明,配合物2对Li+有较明显的响应,ΔE1/21=35 mV(30倍Li+),对碱金属离子Na+和K+均无明显响应.同时配合物1和2在室温下均有明显的溶剂变色现象.
关键词:
二硫纶镍(Ⅱ)配合物
,
冠醚衍生物
,
合成
,
单晶衍射
,
光电性能
丛芳玲
,
赵青南
,
刘旭
,
罗乐平
,
顾宝宝
,
董玉红
,
赵杰
硅酸盐通报
采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga2O3含量为3wt.％的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,溅射时间为40 min时制备的GZO薄膜的光电综合性能最好,可见光区透过率峰值86％,方阻为16.4Ω/□,电阻率为1.18 ×10-3Ω·cm,性能指数ΦTc为4.73 ×10-3 Ω-1;随着溅射时间增加,薄膜光学带系从3.69 eV减少到3.56 eV.在溅射时间60 min时结晶度最高,方块电阻为9.0Ω/□,电阻率最低为9.7×10-4 Ω·cm,可见光透过率峰值为81％.
关键词:
GZO薄膜
,
溅射时间
,
光电性能
,
射频磁控溅射
张有为
,
周细应
,
周涛
,
聂志云
,
答建成
,
杨涛
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO (GZO)薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在[002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93％,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10-3 Ω·cm降至3.17×10-4Ω·cm,霍尔迁移率从7.36cm2 ·V-1 ·S-1增至9.53 cm2·V-1·S-1.
关键词:
外加磁场
,
磁控溅射
,
GZO薄膜
,
晶体结构
,
光电性能
